- ```markdown # 半导体芯片制造及封装流程 ## 1. 晶圆制备（Wafer Fabrication） ### 1.1 硅原料提纯 - 冶金级硅（MGSi）生产 - 化学提纯（西门子法） - 电子级多晶硅（EGSi）制备 ### 1.2 单晶硅生长 - 柴可拉斯基法（CZ法） - 区熔法（FZ法） - 晶锭尺寸控制（200mm/300mm） ### 1.3 晶圆加工 - 晶锭切割（线锯技术） - 边缘研磨（防碎裂） - 表面研磨（双面研磨） - 化学机械抛光（CMP） - 清洗与检测 ## 2. 前道工艺（Front-End-Of-Line） ### 2.1 氧化工艺 - 干氧氧化 - 湿氧氧化 - 快速热氧化（RTO） ### 2.2 光刻工艺 - 光刻胶涂覆（旋涂法） - 软烘烤（前烘） - 曝光（步进式光刻机） - 显影与硬烘烤 - 光刻胶去除（灰化） ### 2.3 薄膜沉积 - 物理气相沉积（PVD） - 化学气相沉积（CVD） - 原子层沉积（ALD） ### 2.4 刻蚀工艺 - 干法刻蚀（等离子体） - 湿法刻蚀 - 各向异性控制 ### 2.5 离子注入 - 掺杂元素选择（B/P/As） - 能量与剂量控制 - 退火工艺（激活掺杂） ### 2.6 化学机械抛光（CMP） - 铜互连平坦化 - 氧化层平整 - 终点检测技术 ### 2.7 金属化工艺 - 铝互连工艺 - 铜大马士革工艺 - 阻挡层/种子层沉积 ## 3. 后道工艺（Back-End-Of-Line） ### 3.1 晶圆测试 - 电性参数测试 - 功能测试 - 坏点标记 ### 3.2 封装准备 - 减薄研磨（至50-200μm） - 背面金属化 - 切割道检验 ## 4. 封装工艺流程 ### 4.1 晶圆切割 - 刀片切割 - 激光隐形切割 - 胶膜固定 ### 4.2 芯片贴装 - 引线框架准备 - 粘晶（银胶/共晶） - 固化工艺 ### 4.3 引线键合 - 金线键合（Ball Bonding） - 铜线键合 - 楔形键合 ### 4.4 塑封工艺 - 传递模塑（Transfer Molding） - 环氧模塑料（EMC）选择 - 固化与应力消除 ### 4.5 后固化处理 - 温度循环处理 - 湿气敏感度控制 ### 4.6 切筋成型 - 框架分离 - 引脚成型 - 表面处理（镀锡/镀银） ### 4.7 最终测试 - 功能测试（FT） - 可靠性测试（HTOL/ESD） - 激光标记 ## 5. 先进封装技术 ### 5.1 晶圆级封装（WLP） - 扇入型（Fan-In） - 扇出型（Fan-Out） ### 5.2 3D封装 - TSV技术 - 芯片堆叠 - 混合键合 ### 5.3 系统级封装（SiP） - 多芯片集成 - 异质集成 - 嵌入式被动元件 ## 6. 质量管控体系 ### 6.1 过程控制 - SPC统计过程控制 - FDC故障检测 - APC先进过程控制 ### 6.2 失效分析 - SEM/TEM分析 - EDX成分分析 - 聚焦离子束（FIB） ### 6.3 可靠性验证 - HTOL高温寿命试验 - TCT温度循环试验 - HAST高加速应力试验 - ```